产品型号：STGP-80-12
炉膛尺寸：Φ80x1200mm
额定温度：1200℃
控温精度：±1℃
应用领域：PECVD系统（等离子增强化学气相沉积系统）由管式炉、真空获得、流量控制和射频电源四大模块组成， 本设备借助13.56Mhz的射频输出使含有薄膜组成原子的气体电离，在真空腔体内形成等离子体，利用等离子的强化学活性，改善反应条件，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术，得到基片上沉积出所期望的薄膜，适用于1200℃条件下进行SiO2、SiNx薄膜的沉积。
